鈦銅復合靶
發布時間：2019/04/11 點擊量：
靶材的主要性能要求
純度
純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。
不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質含量
靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。
品名：鈦靶 牌號：TA1 產地：寶雞
鈦含量≥：99.8（%） 雜質含量：0.02（%） 重量：不等（kg/塊）
牌號：TA0，TA1，TA2，TA3，TC4(Ti6AL4V)，GR1，GR2，GR3，GR5( Ti6AL4V)
鈦圓靶 ：技術條件：符合GB/T2695-1996，ASTMB348-97
鈦板靶 ：技術條件：符合GB/T3621-94，ASTM B265-93
用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，玻璃鍍膜工業等
